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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5856 个

  • 如何降低MOSFET损耗?详细分享-KIA MOS管

    导通功率损耗主要来源于功率电流在通态电阻Rds((on)上产生的热。从公式来看,漏极电流IDS和温度系数K不变的前提下,降低通态损耗的方式/只有降低通态电阻Rds(on)和减小占空比。

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    www.kiaic.com/article/detail/3936.html         2022-11-29

  • IGBT失效模式详细分析-KIA MOS管

    根据失效的部位不同,可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多,如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等,但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种,其中电击穿失效的本质也是温度过高的热击穿失效。...

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    www.kiaic.com/article/detail/3935.html         2022-11-29

  • ​MOSFET-N沟道 P沟道MOS管的不同点-KIA MOS管

    虽然芯片都是硅基,但是掺杂的材质是不同,使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道;P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。

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    www.kiaic.com/article/detail/3934.html         2022-11-28

  • 共源级放大电路的小信号图文分析-KIA MOS管

    放大电路的小信号分析主要考虑三个参数,放大倍数、输入阻抗和输出阻抗,这三个参数直接影响实际电路中的小信号放大倍数。

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    www.kiaic.com/article/detail/3933.html         2022-11-28

  • 【电路图文】共源级放大器偏置设计-KIA MOS管

    一个合适的偏置电路设计是放大器工作的前提,偏置电路需要使MOSFET工作在饱和区。如图图1,这是一个MOSFET放大器的最基本电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/3932.html         2022-11-28

  • 详解MOS管沟道/反型层-KIA MOS管

    产生反型层或者使反型层消失,这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或者消失时的栅极电压就是器件的阈值电压VT。对于增强型器件,该阈值电压称为开启电压;对于耗尽型器件,该阈值电压称为夹断电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/3931.html         2022-11-25

  • 场效应管的跨导gm理解及分析-KIA MOS管

    跨导gm(Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。

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    www.kiaic.com/article/detail/3930.html         2022-11-25

  • 【PMOS NMOS区分】记忆方法、制造工艺-KIA MOS管

    1. 与SUB衬底(工艺中为N-Well / P-Well)联接的一端均为S源极,另一端为D漏极。符号中三横线表示三沟道,相联的两条对应一端必为S源极;

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    www.kiaic.com/article/detail/3929.html         2022-11-25

  • NPN和PNP导通、做开关应用分析-KIA MOS管

    电路连接中,NPN三极管的B基极一般是控制脚,C集电极接VCC,E发射极接GND;PNP三极管的B基极一般是控制脚,C集电极接GND,E发射极接VCC。

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    www.kiaic.com/article/detail/3928.html         2022-11-24

  • 【图文】NMOS和PMOS构成的传输门-KIA MOS管

    PMOS和NMOS器件并联连接在一起我们可以创建一个基本的双边CMOS开关,通常称为“传输门”。注意,传输门与传统的CMOS逻辑门完全不同,因为传输门是对称的,或双边的,即输入和输出是可互换的。

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    www.kiaic.com/article/detail/3927.html         2022-11-24

  • NMOS、PMOS经典电源开关电路-KIA MOS管

    NMOS低边开关电路切换的是对地的导通,PMOS作为高边开关电路切换的是对电源的导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/3926.html         2022-11-24

  • 仿真分享:小信号调谐放大器-KIA MOS管

    在保持输入信号大小不变的情况下,改变输入信号频率,用示波器逐点测出输出电压。按顺序列表记录,在坐标纸上将所测数据逐点描绘,即频率特性曲线,找出fL与fH,计算通频带BW。

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    www.kiaic.com/article/detail/3925.html         2022-11-23

  • 【RC延时】RC延时电路、延时计算-KIA MOS管

    图一是最简单的RC延时电路,目的是延时点亮LED。R1给C1充电,等电容电压到达三极管基极导通电压大概0.7V时,三极管开通,LED点亮,二极管D1是让C1可以快速放电的作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/3924.html         2022-11-23

  • RC延时电路、RC延时电路计算-KIA MOS管

    如图,3.3V电源通过R1之后会给C1充电,A点的电压会从0开始升高,对于后续电路来讲,A点升高到后续电路所需有效电压的时间t就可以认为是延时的时间。

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    www.kiaic.com/article/detail/3923.html         2022-11-23

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